随着USB PD快充的普及,市面上支持PD供电的无线充电发射方案也逐渐成为主流,不过这些方案大部分都需要外挂一颗协议芯片,导致PCB外围电路复杂、整体方案BOM上升,产品竞争力下降。
EESON一鑫研创继之前的LY6105A、LY7105A、RX测试模组等高整合度方案后,针对目前的PD接口的无线充电产品,又推出了GPM8FD3331B SOC高整合芯片,将PD的芯片协议、LDO、驱动整合到无线充电的MCU里,以提升产品整体的竞争力。
同时,该芯片的发射功率最高可达30W,支持目前市场无线充电通用Qi协议:BPP 5W,苹果7.5W,三星10W及EPP标准协议(小米10W、索尼快充、LG快充、google快充等),支持Qi标准的BPP、PPDE、EPP等认证。
一、一鑫研创GPM8FD3331B五大特色
1、内置LDO2、内置高性能双通道驱动
3、内置PD协议
4、方案最大功率可达30W(20V输入)
5、可做单线圈(MPA11)、双线圈(MPA20)、三线圈(MPA20)
二、一鑫研创GPM8FD3331B方案分析
以单线圈MPA11定频调压方案为例,PCBA效果图如上示。
目前市面上常见的EPP定频调压架构上需要单独用到1颗PD协议芯片、1颗LDO、2颗驱动、2颗MOS等;Eeson此次的定频调压方案,是联合老牌芯片原厂凌通科技(凌阳)定制的专属无线充电单片机,由Eeson一鑫研创自行进行方案研发,芯片本身内置LDO和双通道驱动,所以硬件架构上只需再配合2颗双NMOS,1颗调压Buck IC,即可实现QI的MPA11标准定频调压方案。
实际测试最大功率可达30W,如下图示输入为:20.0V/2.45A,输出为:12.70V/3.10A,初步估算效率为80.34%左右。
在输入电压方面,这款方案有2种选择:
1、固定DC电压输入,支持12V~20V任意电压,电流有1.5A以上即可,具体视要做到的发射功率而定;
2、标准Type-C PD协议适配器输入,GPM8FD3331B内置PD协议,兼容市面上常规的PD适配器,默认从适配器获得12V输入。兼容性测试展示如下:
Qi认证,EPP协议已在实验室完成重要项目的预扫动作,保障后面客户正式做Qi EPP认证没有问题。
三、一鑫研创GPM8FD3331B规格参数
从上面的芯片BLOCK DIAGRAM可以看出GPM8FD3331B 主频65.38MHZ,ROM 32K,RAM 256Byte+3K,内置高精度晶振、LDO、Gate Driver、解码OP,属于高集成度的无线充电专用芯片。
最后介绍一下本次研发的无线充电方案商:深圳市一鑫研创科技有限公司是一家有独立研发团队,专注于无线充电方案研发,目前隶属于老牌无线充电芯片原厂凌通科技有限公司,研发团队每个核心成员具有8年及以上的无线充研发经验,目前已在市场销售方案如下: